Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (3)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Khotkevych N$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Khotkevych N. V. 
Electron tunneling into surface states through an inhomogeneous barrier: asymptotically exact solution of the problem and STM theory [Електронний ресурс] / N. V. Khotkevych, Yu. A. Kolesnichenko, J. M. van Ruitenbeek // Физика низких температур. - 2013. - Т. 39, № 3. - С. 384-389. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2013_39_3_18
We have found an asymptotically exact solution of the Schrodinger equation for electrons tunneling into surface states through an inhomogeneous barrier of large amplitude. Assuming an elliptic dispersion law for the charge carriers the "standing wave" pattern in the conductance of the system resulting from the electron scattering by a single defect in the vicinity of the surface is analyzed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 297.188 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Khotkevych N. V. 
Quantum interference effects in a system of two tunnel point-contacts in the presence of single scatterer: simulation of a double-tip STM experiment [Електронний ресурс] / N. V. Khotkevych, Yu. A. Kolesnichenko, J. M. van Ruitenbeek // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 1. - С. 64-70. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_1_10
The conductance of systems containing two tunnel point-contacts and a single subsurface scatterer is investigated theoretically. The problem is solved in the approximation of s-wave scattering giving analytical expressions for the wave functions and for the conductance of the system. Conductance oscillations resulting from the interference of electron waves passing through different contacts and their interference with the waves scattered by the defect are analyzed. The prospect for determining the depth of the impurity below the metal surface by using the dependence of the conductance as a function of the distance between the contacts is discussed. It is shown that the application of an external magnetic field results in Aharonov - Bohm type oscillations in the conductance, the period of which allows detection of the depth of the defect in a double tip STM experiment.
Попередній перегляд:   Завантажити - 507.372 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Khotkevych N. V. 
Conductance of a STM contact on the surface of a thin film [Електронний ресурс] / N. V. Khotkevych, Yu. A. Kolesnichenko, J. M. van Ruitenbeek // Физика низких температур. - 2012. - Т. 38, № 6. - С. 644-652. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2012_38_6_10
The conductance of a contact, having a radius smaller than the Fermi wave length, on the surface of a thin metal film is investigated theoretically. It is shown that quantization of the electron energy spectrum in the film leads to a step-like dependence of differential conductance G(V) as a function of applied bias eV. The distance between neighboring steps in eV equals the energy level spacing due to size quantization. We demonstrate that a study of G(V) for both signs of the voltage maps the spectrum of energy levels above and below Fermi surface in scanning tunneling experiments.
Попередній перегляд:   Завантажити - 697.727 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського